HV用パワー半導体の宇宙線影響評価

要旨: 近年の地球環境問題を背景にHV（ハイブリッド車）への期待は高まり，世界中の様々な環境・地域で普及しつつある．高電圧で使用されるHV用パワー半導体には，従来の品質特性の確保に加え，宇宙線に対してのより高い耐性も要求される．本研究ではパワー半導体であるIGBT素子の宇宙線に対する破壊メカニズムを解明し，IGBTのサイリスタ動作を抑制した素子設計によって宇宙線による破壊を抑制できることを明らかにした．