Cu₂Se に FeSi₂ を微量ドープした熱電薄膜で、室温 zT = 0.69 という Cu₂Se系最高クラスの性能を達成しました。 WAVEBASE により XRD の分析結果と性能の関係を解析し、複数の Cu–Se 結晶相や界面構造が zT 向上に寄与することを明らかにしました。 低コスト・低毒性で Bi₂Te₃（ｎ型） に迫るｐ型次世代熱電材料として期待されています。
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